功率器件

沟槽栅金属氧化物半导体场效应管(Trench MOSFETs)

澳门新葡萄新京威尼斯公司的Trench MOSFET器件提供低导通、快速、ESD保护、Rg集成等全系列完整产品线。通过优化的结构设计、先进的制造工艺和可靠的封装，实现了功率密度最大化以及优秀的FOM（品质因子（Qg*Rdson））值，保证了行业内的领先水平。

平面栅金属氧化物半导体场效应管(Planar MOSFETs)

澳门新葡萄新京威尼斯公司的高压MOSFET产品基于华大自有制造平台积塔（先进），具有强短路、耐冲击的特点，还可以提供低导通Ron，集成ESD结构防静电等产品，以满足客户的各种需求。

超结金属氧化物半导体场效应管(SJ MOSFETs)

澳门新葡萄新京威尼斯公司的SJ MOSFET器件提供低导通、快速、ESD保护、Rg集成等全系列完整产品线。通过优化的结构设计、先进的制造工艺和可靠的封装，实现了功率密度最大化以及优秀的FOM（品质因子（Qg*Rdson））值，Multi-epi技术赋予器件优良的鲁棒特性，使器件的使用及电路的设计难度大大降低。

屏蔽栅金属氧化物半导体场效应管(SGT MOSFETs)

澳门新葡萄新京威尼斯公司的SGT MOSFET器件提供低导通、快速、ESD保护、Rg集成等全系列完整产品线。通过优化的结构设计、先进的制造工艺和可靠的封装，实现了功率密度最大化以及优秀的FOM（品质因子（Qg*Rdson））值，使应用领域范围大大提高。

绝缘栅双极晶体管（IGBTs）

澳门新葡萄新京威尼斯公司的IGBT产品，涵盖了平面高鲁棒特性系列， 基于沟槽场截止型（Trench Field Stop）技术的高效系列，结合了超薄片工艺制程（Ultra Thin Wafer Process）以及局部寿命控制等技术，显著改善了动静态性能折中，大幅提高了器件的功率密度，使器件可耐工作温度更高，转换效率更大，使用寿命更长。

碳化硅金属氧化物半导体场效应管（SIC MOSFETs）